| 东方一条龙 |
2006-05-14 20:20 |
谈到超频，许多玩家都有这样的疑问：一样的主板、CPU和电源，同样的倍频、外频设置，为什么人家超的上去，我就不行呢？同样的CPU频率，为什么别人的运算速度就比我的快呢？其实这些问题的答案很简单，就是内存问题。 Xrz0ch
自从Intel和AMD限制了CPU倍频之后，超频就只能从外频下手了。提高外频，除去有良好的主板支持，内存也变得尤为重要。众所周知，如果内存频率采用分频设置，不但会影响系统整体性能，还会导致CPU的潜力无处发挥，这种现象在AMD平台上尤其明显。所以，选择好超频的内存就变成超频玩家不可忽略的一件大事。 在国际超频高手冲击记录的过程中，大部分调校时间都花在了内存上，内存的参数直接影响着SuperPI的速度，频率带宽关系着CPU主频的提升和3D测试成绩的提高。我们可以这么说：内存的好坏直接关系着超频的成败，内存是超频过程中的幕后英雄！ rW`F|F%
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本文分为内存参数简析，四种超频颗粒介绍和内存原理浅谈三大部分。很多朋友趁着现在的内存价格很低纷纷扩容了内存，所以在颗粒介绍部分，我们只选取了部分在国际玩家中拥有不错口碑的单条512MB和1GB内存。 JQtH },T r
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技术解析：延时、频率合理搭配 =?f}h{8x>
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超频过程中，为什么调校内存所花时间最长呢？原因就内存参数优化。参数优化的历史可以追溯到SDRAM时代。在那个年代，大家追求的只有CL值，CL＝2就是当时的参数优化目标。到了DDR年代，对于参数的描述变成了4个值，例如：2-2-2-5。但这4个数字所代表的含义到底是什么？简单来说就是CL-tRCD-tRP-tRAS，这个缩写的全程和中文名称如下： V\G>e{
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1、CL（CAS Latency） ew"Fr1UGYZ
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中文名称为“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”，在BIOS中的选项可能为：2、2.5和3。随着DFI NF4主板的出现，还增加了1.5这个极限选项。这个参数很重要，内存条铭牌上一般都有推荐参数。较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低。反过来，如果内存运行不稳定，可以将此参数设大，以提高稳定性。 H|!s.
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2、tRCD（RAS-to-CAS Delay） |HEw~x <=
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中文为“行寻址至列寻址延迟时间”，一般选项有2、3、4、5，别名有Active to CMD等。对于延迟时间，当然是数值越小，性能越好。 |.
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3、tRP（RAS Precharge Time） ;1dz?'%V
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“内存行地址控制器预充电时间”一般只有2、3、4三个选项。这个参数的名称也比较多，一般有RAS Precharge、Precharge to active几种。tRP值越低，预充电参数越小，则内存读写速度就越快。 `[KhG)Y7t
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4、tRAS（RAS Active Time） W~tOH=9>
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“内存行有效至预充电的最短周期”nForce系列主板对它的调节幅度最大，从1到15都可选择。别名也是最多的： Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等等。调整这个参数需要结合具体情况而定，推荐参数选项有5，6或者7这3个。大多数情况还要结合主板和CPU情况，并不是说越大或越小就越好。 b8>9mKs
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进入了64位时代，内存参数调节又多了一个选项――Command Rate。这个选项就是K8平台超频时所称的“1T、2T”，全名“首命令延迟”，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于DDR内存在寻址时，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分K8主板默认参数都比较保守，采用2T。 _);Kb/
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如果您觉得单纯的文字叙述不能说明参数优化和延迟的问题，那我们就来看一张理论模型图。从图中，我们能够直观的看到CL值变化，对延迟的影响。虽说在单周期内的影响并不大，但在实际使用时，每秒要400次以上的周期循环，这种延迟就很明显了。 Y2-bU 7mo
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提高内存频率就是使每秒内循环周期完成的次数增多，加大数据的吞吐量，也就是常说的增加内存带宽。对内存进行超频不像CPU那样简单，最主要的问题是内存颗粒选择问题。不同厂家的颗粒带有不同的超频特性，下面我们就来具体的了解一下。 6ZpcT&yL
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现在内存已经变成了一种廉价硬件，拥有1GB以上的内存已经不再是件奢侈的事情，下面我们就开始介绍单条512MB和1GB的DDR内存颗粒。 v4_OUA>z,
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单条512MB精品颗粒：华邦BH-5 /dt!J
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说到单条512MB DDR内存，其颗粒制造商可谓数量众多，其中最著名的当属华邦（Winbond）和三星 |
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